[发明专利]鳍式场效应管及其形成方法有效

专利信息
申请号: 201610293057.4 申请日: 2016-05-05
公开(公告)号: CN107346740B 公开(公告)日: 2020-06-09
发明(设计)人: 李勇 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
主分类号: H01L21/336 分类号: H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 高静;吴敏
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种鳍式场效应管及其形成方法,鳍式场效应管的形成方法包括:在鳍部的顶部和侧壁表面形成第一氧化层;去除所述第一区域的第一氧化层,暴露出第一区域的鳍部表面;在所述第一区域的鳍部表面形成第二氧化层;在所述第一氧化层上以及第二氧化层上形成刻蚀阻挡层;在所述刻蚀阻挡上形成隔离层,所述隔离层填充满相邻鳍部之间的区域;回刻蚀去除部分厚度的隔离层形成隔离结构,所述隔离结构顶部低于鳍部顶部;去除高于所述隔离结构顶部的刻蚀阻挡层,暴露出所述第二氧化层。本发明避免隔离结构损失的问题,并且还避免了有效鳍部底部宽度尺寸变大的问题,从而显著的改善了短沟道效应问题,提高了形成的鳍式场效应管的性能。
搜索关键词: 场效应 及其 形成 方法
【主权项】:
一种鳍式场效应管的形成方法,其特征在于,包括:提供衬底以及位于衬底表面的分立的鳍部,所述衬底包括第一区域和第二区域;在所述鳍部的顶部和侧壁表面形成第一氧化层;去除所述第一区域的第一氧化层,暴露出第一区域的鳍部表面;在所述第一区域的鳍部表面形成第二氧化层,所述第二氧化层的厚度小于第一氧化层的厚度;在所述第一氧化层表面以及第二氧化层表面形成刻蚀阻挡层;在所述刻蚀阻挡表面形成隔离层,所述隔离层填充满相邻鳍部之间的区域,其中,所述刻蚀阻挡层的材料与所述隔离层的材料不同;回刻蚀去除部分厚度的隔离层形成隔离结构,所述隔离结构顶部低于鳍部顶部;去除高于所述隔离结构顶部的刻蚀阻挡层,暴露出高于隔离结构顶部的第二氧化层表面以及第一氧化层表面;在所述暴露出的第二氧化层表面形成第一栅极,所述第一栅极横跨第一区域的鳍部;在所述暴露出的第一氧化层表面形成第二栅极,所述第二栅极横跨第二区域的鳍部。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610293057.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top