[发明专利]P4VP-b-PMA(Az)嵌段共聚物、柱直径可调的高贯通六方柱状薄膜及制备方法

摘要

本发明提供P4VP‑b‑PMA(Az)嵌段共聚物、柱直径可调的高贯通六方柱状薄膜及制备方法，其中，P4VP‑b‑PMA(Az)液晶嵌段共聚物具有如下结构：其中，m为10‑900，n为2‑900。本发明通过两步ATRP方法合成液晶嵌段共聚物，再通过旋涂成膜方式得到不同厚度的BCP薄膜，将薄膜置于溶剂氛围下退火后即可得到不同厚度、不同孔径大小的高贯通六方柱状薄膜，该膜在pH响应、光响应和高效离子通道领域具有很大应用价值和优势。 1

主权项

1.一种制备柱直径可调的高贯通六方柱状薄膜的方法，其特征在于，将配制好的P4VP‑b‑PMA(Az)嵌段共聚物溶液旋涂在单晶硅片上形成厚度100nm～6μm薄膜，对所述薄膜退火即得；所述P4VP‑b‑PMA(Az)嵌段共聚物具有如下结构：其中，m为10‑900；n为5‑60；或，所述P4VP‑b‑PMA(Az)嵌段共聚物采用如下方法制备而成：具体包括如下步骤：(1)P4VP大分子引发剂的合成：将小分子引发剂、配体、4‑乙烯基吡啶加入反应容器，用液氮冷冻所述反应器，并加入氯化亚铜；在液氮冷冻状态下抽真空3‑7min，再在通氮气条件下解冻并搅拌3‑7min，重复上述抽真空、解冻操作2‑5次，最后，于真空状态下，30‑60℃反应6‑72h，即得粗产品；(2)P4VP‑b‑PMA(Az)嵌段共聚物的合成：将P4VP大分子引发剂、配体、{11‑[4‑(4‑丁基苯偶氮)苯氧基]十一烷基甲基丙烯酸酯}加入反应容器，用液氮冷冻所述反应器，并加入氯化亚铜；在液氮冷冻状态下抽真空3‑7min，再在通氮气情况下解冻并搅拌3‑7min，重复上述抽真空、解冻操作2‑5次，最后，于真空状态下，60‑100℃反应6‑72h，即得粗产品。