[发明专利]新型片层二硫化钼基纳米免疫佐剂及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 201610249084.1 | 申请日： | 2016-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN105833265B | 公开（公告）日： | 2019-11-08 |
| 发明（设计）人： | 韩秋森;杨蓉;王新环;王琛 | 申请（专利权）人： | 国家纳米科学中心 |
| 主分类号： | A61K39/39 | 分类号： | A61K39/39 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王文君 |
| 地址： | 100080 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种新型片层二硫化钼基纳米免疫佐剂及其制备方法与应用，该免疫佐剂是由CpG和PEG对二硫化钼纳米片层进行修饰得到的产物，制备方法包括将二硫化钼纳米片层进行超声处理；然后与CpG和PEG混合，在摇床中温控孵育；离心去除游离的CpG和PEG而得到。本发明纳米免疫佐剂粒径小、尺寸均一、比表面积大，具有较强的近红外区光热转换能力，联合红外激光照射可以很大程度上提高免疫激活相关细胞因子的分泌水平。此外，本发明所述的纳米免疫佐剂具有较低的细胞毒性。本发明具有原料成本低，制备工艺简单，重复性好，性能稳定等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 二硫化钼 纳米 免疫佐剂 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种片层二硫化钼基纳米免疫佐剂，是由CpG和PEG对二硫化钼纳米片层进行修饰得到的产物，所述二硫化钼纳米片层与CpG的摩尔比为100‑300:1；所述二硫化钼纳米片层与PEG的摩尔比为10‑30:1。
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