[发明专利]一种微孔钴配位聚合物、其制备方法及应用有效

专利信息
申请号: 201610248681.2 申请日: 2016-04-20
公开(公告)号: CN105837831B 公开(公告)日: 2018-07-10
发明(设计)人: 刘春森;陈迪明;户敏;杜淼;田稼越 申请(专利权)人: 郑州轻工业学院
主分类号: C08G83/00 分类号: C08G83/00;B01J20/26;B01J20/30;B01D53/02
代理公司: 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 代理人: 王锋
地址: 450000 *** 国省代码: 河南;41
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摘要: 发明公开了一种微孔钴配位聚合物、其制备方法及应用。所述微孔钴配位聚合物化学式是:[Co6(OH)2(INA)6(CPT)3](NO3)(DMA)4,所述配位聚合物结晶于立方晶系(cubic),空间群为I‑43m,晶胞参数为本发明提供的微孔钴配位聚合物的基本结构是一个三维框架结构,在晶体学a、b、c三个方向上分别展示了三维方形孔道,孔道中填充有溶剂DMA分子。在常温常压条件下,对气体具有较强的吸附能力和较高的存储量,可作为乙炔气体吸附存储材料;同时本发明的微孔钴配位聚合物的制备方法简单,条件易控,在材料科学及相关领域具有广阔的应用前景。
搜索关键词: 钴配位聚合物 微孔 制备 应用 常温常压条件 三维框架结构 配位聚合物 材料科学 方形孔道 晶胞参数 立方晶系 吸附存储 吸附能力 乙炔气体 存储量 空间群 溶剂 孔道 填充 三维 展示
【主权项】:
1.一种微孔钴配位聚合物,其特征在于所述配位聚合物的化学式为[Co6(OH)2(INA)6(CPT)3](NO3)(DMA)4,其中INA为异烟酸阴离子配体,CPT为4‑(1,2,4‑三氮唑)‑苯甲酸阴离子配体,DMA为N,N’‑二甲基乙酰胺,其中CPT配体具有下式所示结构:所述配位聚合物为红色柱状单晶,属于立方晶系,空间群为I‑43m,晶胞参数为
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