[发明专利]一种微孔钴配位聚合物、其制备方法及应用有效
申请号: | 201610248681.2 | 申请日: | 2016-04-20 |
公开(公告)号: | CN105837831B | 公开(公告)日: | 2018-07-10 |
发明(设计)人: | 刘春森;陈迪明;户敏;杜淼;田稼越 | 申请(专利权)人: | 郑州轻工业学院 |
主分类号: | C08G83/00 | 分类号: | C08G83/00;B01J20/26;B01J20/30;B01D53/02 |
代理公司: | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人: | 王锋 |
地址: | 450000 *** | 国省代码: | 河南;41 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: |
本发明公开了一种微孔钴配位聚合物、其制备方法及应用。所述微孔钴配位聚合物化学式是:[Co6(OH)2(INA)6(CPT)3](NO3)(DMA)4,所述配位聚合物结晶于立方晶系(cubic),空间群为I‑43m,晶胞参数为 |
||
搜索关键词: | 钴配位聚合物 微孔 制备 应用 常温常压条件 三维框架结构 配位聚合物 材料科学 方形孔道 晶胞参数 立方晶系 吸附存储 吸附能力 乙炔气体 存储量 空间群 溶剂 孔道 填充 三维 展示 | ||
【主权项】:
1.一种微孔钴配位聚合物,其特征在于所述配位聚合物的化学式为[Co6(OH)2(INA)6(CPT)3](NO3)(DMA)4,其中INA为异烟酸阴离子配体,CPT为4‑(1,2,4‑三氮唑)‑苯甲酸阴离子配体,DMA为N,N’‑二甲基乙酰胺,其中CPT配体具有下式所示结构:
所述配位聚合物为红色柱状单晶,属于立方晶系,空间群为I‑43m,晶胞参数为![]()
![]()
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于郑州轻工业学院,未经郑州轻工业学院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610248681.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种导光结构、背光源及显示屏
- 下一篇:一种高透光增亮膜