[发明专利]假交替单胞菌在制备纳米材料中的应用有效
| 申请号： | 201610232204.7 | 申请日： | 2016-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN105821082B | 公开（公告）日： | 2019-02-26 |
| 发明（设计）人： | 周维芝;王美;张海欧;刘东生;赵海霞 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C12P3/00 | 分类号： | C12P3/00;C12N1/20;C02F3/34;B82Y40/00;B82Y5/00;B01J27/14;C12R1/01;C02F101/20;C02F101/14;C02F101/10 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人： | 张勇 |
| 地址： | 250061 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了假交替单胞菌(Pseudoalteromonas sp.)DSBS在镉磷的nM级不饱和高盐废水中制备纳米材料中的应用；所述假交替单胞菌DSBS已于2013年12月12日保藏于中国典型培养物保藏中心，地址：武汉市武昌珞珈山，保藏号：CCTCC M2013652。本发明还公开了一种镉‑磷‑硫纳米材料，由假交替单胞菌DSBS在镉磷的nM级不饱和高盐废水中生物合成。本发明的菌株能够在不同盐度、镉磷不饱和体系中合成纳米颗粒，并且实现水体中的镉和磷的去除。底物利用率高，出水无镉磷污染。 | ||
| 搜索关键词： | 交替 单胞菌 制备 纳米 材料 中的 应用 | ||
【主权项】：
1.假交替单胞菌(Pseudoalteromonas sp.)DSBS在镉磷的nM级不饱和高盐废水中制备纳米材料的应用；所述假交替单胞菌DSBS已于2013年12月12日保藏于中国典型培养物保藏中心，地址：武汉市武昌珞珈山，保藏号：CCTCCM2013652，所述高盐废水是指总盐质量分数在1％及以上的水体。
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