[发明专利]一种硅碳基高温氢气传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 201610225244.9 | 申请日： | 2016-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN105928986B | 公开（公告）日： | 2018-08-31 |
| 发明（设计）人： | 廖宁波;周峰 | 申请（专利权）人： | 温州大学 |
| 主分类号： | G01N27/04 | 分类号： | G01N27/04;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 杭州万合知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 33294 | 代理人： | 余冬 |
| 地址： | 325036 浙江省温州市瓯海经济*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅碳基高温氢气传感器，包括单晶硅基板(1)，在单晶硅基板(1)上依次设有二氧化硅层(2)、硅碳基薄膜层(3)、SiAlCO层(4)和电极(5)。制备方法按下述步骤进行：①对单晶硅基板进行预清洗；②重复3‑4遍步骤①，再在真空干燥箱中烘干；③在真空条件下对单晶硅基板进行离子束溅射清洗；④在氩气作为工作气体的环境下，采用磁控溅射的方法将靶材溅射到衬底上；⑤在基板溅射单元制作电极形成传感器。本发明具有优异气敏特性和高温可靠性的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅碳基 高温 氢气 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅碳基高温氢气传感器，其特征在于：包括单晶硅基板(1)，在单晶硅基板(1)上依次设有二氧化硅层(2)、硅碳基薄膜层(3)、SiAlCO层(4)和电极(5)；所述的硅碳基薄膜层(3)包括下层的SiCN层(31)和上层的SiCO层(32)。
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