[发明专利]一种制备性能优良氧化锌压敏电阻陶瓷的新型工艺方法在审

专利信息
申请号: 201610211300.3 申请日: 2016-04-06
公开(公告)号: CN105859279A 公开(公告)日: 2016-08-17
发明(设计)人: 何金良;胡军;孟鹏飞 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: C04B35/453 分类号: C04B35/453;C04B35/622;C04B35/626;H01C7/112
代理公司: 重庆百润洪知识产权代理有限公司 50219 代理人: 刘立春
地址: 10008*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种制备性能优良氧化锌压敏电阻陶瓷的新型工艺方法,制备原料包括氧化锌ZnO、氧化铋Bi2O3、三氧化二锑Sb2O3、二氧化锰MnO2、氧化铬Cr2O3、三氧化二钴Co2O3、二氧化硅SiO2、硝酸铝Al(NO3)3、氧化银Ag2O,制备步骤包括制备辅助添加浆料、添加ZnO、添加铝、银离子、成型、烧结。其有益效果是:采用传统原料混合研磨工艺以及烧结工艺,通过调整辅助添加料的成份和比例,在ZnO及混合浆料中同时添加了Al、Ag元素。Al和Ag离子的共同作用下,在烧结过程中Al和Ag固溶进锌晶格,降低了晶粒电阻,降低了大电流区的残压,同时使得间隙锌离子的数量下降,提高了ZnO压敏电阻陶瓷的老化稳定性能,与单纯添加Al离子相比,泄漏电流也得到有效抑制。
搜索关键词: 一种 制备 性能 优良 氧化锌 压敏电阻 陶瓷 新型 工艺 方法
【主权项】:
一种制备性能优良氧化锌压敏电阻陶瓷的新型工艺方法,其特征在于,制备原料包括氧化锌ZnO、氧化铋Bi2O3、三氧化二锑Sb2O3、二氧化锰MnO2、氧化铬Cr2O3、三氧化二钴Co2O3、二氧化硅SiO2、硝酸铝Al(NO3)3、氧化银Ag2O、氧化镓Ga2O3,制备步骤包括制备辅助添加浆料、添加ZnO、添加铝、银离子、成型、烧结。
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