[发明专利]一种铅锡混合钙钛矿薄膜、其制备方法及应用有效
申请号: | 201610205075.2 | 申请日: | 2016-04-05 |
公开(公告)号: | CN105810831B | 公开(公告)日: | 2018-11-06 |
发明(设计)人: | 麦耀华;范建东;刘冲;李红亮;张翠苓 | 申请(专利权)人: | 河北大学 |
主分类号: | H01L51/46 | 分类号: | H01L51/46;H01L51/42;H01L51/48 |
代理公司: | 石家庄国域专利商标事务所有限公司 13112 | 代理人: | 胡素梅;白海静 |
地址: | 071002 河北省保*** | 国省代码: | 河北;13 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种铅锡混合钙钛矿薄膜、其制备方法及应用。本发明中铅锡混合钙钛矿薄膜的制备方法具体是:将PbRE2和SnRE2分别溶解于DMF和DMSO的混合溶剂中,分别形成PbRE2溶液和SnRE2溶液;RE为Cl、Br或I;量取PbRE2溶液和SnRE2溶液,并使两者混合,形成前驱液;将前驱液旋涂于基片上;再在基片上旋涂CH3NH3RE的异丙醇溶液,退火后即得铅锡混合钙钛矿薄膜。本发明采用液相两步法制备铅锡混合钙钛矿薄膜,不仅能够有效地减少薄膜中重金属铅的含量,而且可以提高薄膜的覆盖度及质量,减少薄膜的针孔,减少漏电路径,提高铅锡混合钙钛矿太阳能电池的光电转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 混合 钙钛矿 薄膜 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
1.一种铅锡混合钙钛矿薄膜,其特征是,所述铅锡混合钙钛矿薄膜的化学通式为CH3NH3Pb1‑xSnxRE3;其中,RE为Cl或Br;0<x<1;所述铅锡混合钙钛矿薄膜的制备方法,包括如下步骤:a、称取PbRE2粉末和SnRE2粉末;b、量取二甲基甲酰胺以及二甲基亚砜,并使两者混合形成混合溶剂,之后将所形成的混合溶剂分为两份;c、将所称取的PbRE2粉末溶解于其中一份混合溶剂中,形成PbRE2溶液;将所称取的SnRE2粉末溶解于另一份混合溶剂中,形成SnRE2溶液;将PbRE2粉末和SnRE2粉末分别溶解于混合溶剂中时,溶解温度为60℃~70℃;d、量取PbRE2溶液和SnRE2溶液,并使两者混合、搅拌均匀,形成前驱液;e、将步骤d中的前驱液以4000r/min~6000r/min的转速旋涂于基片上;f、再在基片上以4000r/min~6000r/min的转速旋涂CH3NH3RE的异丙醇溶液,之后在110℃~160℃下退火20min~30min,即得铅锡混合钙钛矿薄膜CH3NH3Pb1‑xSnxRE3。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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