[发明专利]一种大尺寸信息存储单晶体的生长方法

摘要

一种大尺寸信息存储单晶体的生长方法，简单巧妙、只需要50℃以下的温和条件、节能、醇溶液生长无毒、废液循环使用、环保。在相转变过程中也只需要168℃的温度维持几分钟就可以完成从非铁电大尺寸单晶I晶型到需要的大尺寸单晶II晶型的转变。同时，省去最为复杂的转晶步骤，直接将籽晶悬挂在母液中，操作更简单，设备更简易，降温速率更快，生长周期缩短。后处理方法也改进的更简单，直接拉出晶体放入同温度的恒温油浴槽内。改进后晶体质量不受影响。

主权项

1.一种大尺寸信息存储单晶体的生长方法，其晶体生长过程均在油浴恒温槽中的生长瓶内进行；其特征在于，晶体的生长方法包括以下步骤：1)制备饱和母液：在生长瓶内放入原料二异丙胺盐酸盐后加入溶剂分析纯乙醇，得到原料溶液，利用原料溶液制备饱和母液；2)放晶：将籽晶粘于细丝线一端，下降至步骤1)所述饱和母液高度的中间位置，另一端固定在生长瓶口；3)程序降温生长；所述程序降温生长的降温速率维持在0.5℃每天；4)后处理：待步骤2)中的籽晶进行程序降温生长达到所需尺寸的晶体时，通过细丝线拉出生长后的晶体，放于另一个相同温度的生长甁中；5)热晶型转变：将步骤5)中放有晶体的生长甁在油浴恒温槽中加热至168℃后，冷却，待冷却至室温后将晶体取出，得到大尺寸信息存储单晶体；所述加热过程中的升温速率和冷却过程中的降温速率均为5-10℃每小时。