[发明专利]使用具有间歇恢复等离子体的ALD氧化硅表面涂层来使自由基重组最小化有效
| 申请号： | 201610181756.X | 申请日： | 2016-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN106024673B | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 巴德里·N·瓦拉达拉简;龚波;雷切尔·E·巴策尔;邱华潭;巴特·J·范施拉芬迪克;杰弗里·霍恩 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;张华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文的某些实施方式涉及调整用于远程等离子体处理的反应室的方法。本文的其他实施方式涉及用于远程等离子体处理的装置。在不同的实施方式中，通过在内腔室表面形成低重组材料涂层来调整反应室。当反应室被用于处理衬底时，低重组材料有助于使发生在反应室内的自由基程度最小化。在衬底处理过程中，低重组材料可被相对较高的重组材料(例如衬底处理的副产物)覆盖，导致随着时间的流逝可用于处理衬底的自由基的量减少。低重组材料涂层可通过暴露于氧化等离子体被修复，可以改造所述低重组材料涂层。所述修复工艺可随着产生于衬底上的附加的处理周期性的发生。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 具有 间歇 恢复 等离子体 ald 氧化 表面 涂层 来使 自由基 重组 最小化 | ||
【主权项】：
一种调整用于执行远程等离子体处理的反应室的方法，所述方法包括：当反应室内没有衬底时，通过原子层沉积工艺在该反应室内的暴露表面上形成低重组材料涂层；和在一或多个衬底上执行远程等离子体操作之后，将该反应室暴露于氧化等离子体以修复该反应室内的暴露表面并从而改造该低重组材料涂层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于朗姆研究公司，未经朗姆研究公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610181756.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
