[发明专利]一种硅基微环滤波器与磷化铟基光探测器异质集成单片制作方法在审
| 申请号： | 201610158140.0 | 申请日： | 2016-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN105676368A | 公开（公告）日： | 2016-06-15 |
| 发明（设计）人： | 牛斌;顾晓文 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | G02B6/293 | 分类号： | G02B6/293;H01L27/144 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 张弛 |
| 地址： | 210016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明是一种硅基微环滤波器与磷化铟基光探测器异质集成单片制作方法：1)使用绝缘体上硅材料制作硅基微环滤波器，2)在硅基微环滤波器上制作键合材料，3)将用于制作光探测器的磷化铟衬底外延材料正面与硅基微环滤波器正面键合，4)将磷化铟衬底减薄至只留下磷化铟基外延材料，5)在磷化铟基外延材料上制作出光探测器波导、耦合波导、电极接触结构，6)在集成器件正面制作电隔离结构，并制作光探测器电极，完成硅基微环滤波器与磷化铟基光探测器异质集成单片制作；优点：充分利用了硅基光子器件低损耗、集成化优势与磷化铟基光子器件高响应大带宽优势，在异质集成单片上同时实现光载微波信号滤波与光电转换功能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅基微环 滤波器 磷化 铟基光 探测器 集成 单片 制作方法 | ||
【主权项】：
一种硅基微环滤波器与磷化铟基光探测器异质集成单片制作方法，其特征是，该方法包括以下步骤：1)使用绝缘体上硅材料制作硅基微环滤波器；2)在硅基微环滤波器上制作键合材料；3)将用于制作光探测器的磷化铟衬底外延材料正面与硅基微环滤波器正面键合；4)将磷化铟衬底减薄至只留下磷化铟基外延材料；5)在磷化铟基外延材料上制作出光探测器波导、耦合波导、电极接触结构；6)在集成单片正面制作电隔离结构，并制作光探测器电极。
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