[发明专利]基于二极管补偿的InP异质结双极晶体管电路在审
| 申请号： | 201610133612.7 | 申请日： | 2016-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN105808855A | 公开（公告）日： | 2016-07-27 |
| 发明（设计）人： | 吕红亮;朱莉;武岳;张义门;张玉明 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于二极管补偿的InP异质结双极晶体管电路。其包括功率单元模块(1)和电流补偿模块(2)。电流补偿模块连接在功率单元模块的输入端，用于控制功率单元模块的输入电流；功率单元模块由磷化铟第一异质结双极晶体管Q1组成，电流补偿模块由磷化铟第二异质结双极晶体管Q2和电阻R组成。Q2的集电极与基极短接在一起，作为二极管与Q1的基极相连接，电阻R作为控制开关，连接在Q2的发射极与地之间。本发明根据负反馈补偿原理，以牺牲很少的芯片面积为代价补偿了InP异质结双极晶体管的自热效应，稳定了直流工作点，改善了晶体管输出的线性度，可用于指导射频和微波电路的直流偏置设计。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 二极管 补偿 inp 异质结 双极晶体管 电路 | ||
【主权项】：
一种基于二极管补偿的InP异质结双极晶体管电路，包括功率单元模块(1)，该功率单元模块(1)采用第一InP异质结双极晶体管Q1组成，其特征在于，在功率单元模块(1)的输入端连接有电流补偿模块(2)，用于控制功率单元模块(1)的输入电流大小；所述电流补偿模块(2)，其由第二InP异质结双极晶体管Q2和一个电阻R组成，Q2的集电极与基极短接在一起，作为二极管与Q1的基极相连接，电阻R作为控制开关，其一端连接Q2的发射极，另一端接地。
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