[发明专利]钙钛矿太阳能电池及其制备方法有效
| 申请号： | 201610118752.7 | 申请日： | 2016-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN105552231B | 公开（公告）日： | 2018-05-01 |
| 发明（设计）人： | 张京;诸跃进;王鹏;黄孝坤;岳国强;刘金旺;卢兴伟 | 申请（专利权）人： | 宁波大学 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48 |
| 代理公司： | 宁波诚源专利事务所有限公司33102 | 代理人： | 景丰强 |
| 地址： | 315211 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种钙钛矿太阳能电池，其特征在于依次包括导电玻璃层、致密二氧化钛膜、多孔二氧化钛膜、掺杂CH3NH3Pb1‑xSb2x/3I3多晶膜、空穴传输材料层及蒸镀银电极层，所述的掺杂CH3NH3Pb1‑xSb2x/3I3多晶膜中高价态元素Sb取代CH3NH3PbI3中的Pb元素形成n型掺杂的CH3NH3Pb1‑xSb2x/3I3杂化材料，本发明还公开了钙钛矿太阳能电池的制备方法。与现有技术相比，具有光电转换效率高的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 钙钛矿 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种钙钛矿太阳能电池，其特征在于依次包括导电玻璃层、致密二氧化钛膜、多孔二氧化钛膜、掺杂CH3NH3Pb1‑xSb2x/3I3多晶膜、空穴传输材料层及蒸镀银电极层，所述的掺杂CH3NH3Pb1‑xSb2x/3I3多晶膜中高价态元素Sb取代CH3NH3PbI3中的Pb元素形成n型掺杂的CH3NH3Pb1‑xSb2x/3I3杂化材料，X为0.005~0.1。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宁波大学，未经宁波大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610118752.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
