[发明专利]一种具有高析氧过电位的钛基阳电极及其制备方法在审
| 申请号： | 201610092830.0 | 申请日： | 2016-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN105502595A | 公开（公告）日： | 2016-04-20 |
| 发明（设计）人： | 周检 | 申请（专利权）人： | 周检 |
| 主分类号： | C02F1/461 | 分类号： | C02F1/461;C02F1/72;C02F101/30 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有高析氧过电位的钛基阳电极及其制备方法。该电极由外到内分别是Cu掺杂SnO2薄膜层和钛基体。制备方法是通过将含有Sn、Cu的前驱溶液涂敷在经过去污和去TiO2处理的具有任意几何形状的钛基体上，进行高温退火形成钛基Cu掺杂SnO2阳电极。Cu元素掺杂改变了SnO2薄膜的物理化学性能，使得该阳电极的析氧过电位超过了2.6V(vs NHE)。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 高析氧 电位 阳电 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有高析氧过电位的钛基阳电极，其特征在于在钛基体上沉积一层Cu掺杂SnO2薄膜；所述的钛基阳电极由外到内分别是Cu掺杂SnO2层和钛基体。
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