[发明专利]磁记录介质和磁记录再现装置在审
申请号: | 201610088013.8 | 申请日: | 2016-02-16 |
公开(公告)号: | CN105895123A | 公开(公告)日: | 2016-08-24 |
发明(设计)人: | 丸山良彦;S·阿南德哈;Y·A·邱;中村悟;田沼广光;山川荣进 | 申请(专利权)人: | 昭和电工株式会社 |
主分类号: | G11B5/725 | 分类号: | G11B5/725 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及磁记录介质和磁记录再现装置。提供可以有效地防止磁记录介质的表面污染、可以防止磁记录介质上存在的污染物质向磁头附着(转印)的磁记录介质和具备其的磁记录再现装置。将磁记录介质的碳保护层氮化,作为润滑剂,混合使用下述通式(1)所示的化合物A和下述通式(2)所示的化合物B。R1‑C6H4OCH2CH(OH)CH2OCH2‑R2‑CH2OCH2CH(OH)CH2OH‥‥(1)CH2(OH)CH(OH)CH2OCH2CF2CF2(OCF2CF2CF2)mOCF2CF2CH2OCH2CH(OH)CH2OH‥‥(2)。 | ||
搜索关键词: | 记录 介质 再现 装置 | ||
【主权项】:
一种磁记录介质,其特征在于,其为在非磁性基板上至少依次具有磁性层、保护层和润滑剂层的磁记录介质,所述保护层包含碳或氢化碳,所述润滑剂层与所述保护层上相接触地形成,与所述润滑剂层的界面处的所述碳保护层包含氮,所述氮的含量为50原子%~90原子%的范围内,所述润滑剂层包含下述通式(1)所示的化合物A和下述通式(2)所示的化合物B,所述化合物A相对于所述化合物A和所述化合物B的质量比(A/(A+B))为0.05~0.9的范围内,所述润滑剂层的平均膜厚为0.5nm~2nm的范围内,R1‑C6H4OCH2CH(OH)CH2OCH2‑R2‑CH2OCH2CH(OH)CH2OH‥‥(1)通式(1)中,R1为碳数1~4的烷氧基,R2为‑CF2O(CF2CF2O)x(CF2O)yCF2‑、或‑CF2CF2O(CF2CF2CF2O)zCF2CF2‑、或‑CF2CF2CF2O(CF2CF2CF2CF2O)nCF2CF2CF2‑,其中,x、y的括号内任选依次连接或以相反顺序连接或无规地连接,x、y分别为0~15的实数,z为1~15的实数,n为0~4的实数,CH2(OH)CH(OH)CH2OCH2CF2CF2(OCF2CF2CF2)mOCF2CF2CH2OCH2CH(OH)CH2OH‥‥ (2)通式(2)中,m为4~60的范围的整数。
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