[发明专利]一种低角度依赖高饱和度蓝色SiO2胶体晶体膜的制备方法在审

专利信息
申请号: 201610077639.9 申请日: 2016-02-03
公开(公告)号: CN105714290A 公开(公告)日: 2016-06-29
发明(设计)人: 王莉丽;王秀锋;刘派;伍媛婷 申请(专利权)人: 陕西科技大学
主分类号: C23C28/00 分类号: C23C28/00
代理公司: 西安智大知识产权代理事务所 61215 代理人: 段俊涛
地址: 710021 陕西省*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明一种低角度依赖高饱和度蓝色SiO2胶体晶体膜的制备方法,属于光子晶体结构色制备技术领域。取粒径为310±10nm SiO2微球,配制浓度1‑3wt%的SiO2胶体溶液,超声分散2‑4h,将清洗过的基片垂直固定在SiO2胶体溶液中,40‑65℃干燥24‑30h;采用蒸镀仪在组装好的SiO2胶体晶体膜表面镀厚度为5‑10nm的碳膜,采用真空离子溅射法在碳膜表面再镀一层厚度为5‑10nm的铂金膜;碳膜提供了光吸收背景,使其在光子禁带的反射率增强,对禁带以外波长的反射率降低,吸收了杂散光,铂金膜使其在光子禁带的反射强度进一步增强;宏观上呈色表现出低角度依赖性,色饱和度显著提高,呈现绚丽的单一蓝色。
搜索关键词: 一种 角度 依赖 饱和度 蓝色 sio sub 胶体 晶体 制备 方法
【主权项】:
一种低角度依赖高饱和度蓝色SiO2胶体晶体膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)取平均粒径为310±10nm的SiO2微球,放入乙醇中搅拌均匀,配制浓度为1‑3wt%的SiO2胶体溶液,超声分散2‑4h;(2)用去离子水清洗基片,然后分别在去离子水和乙醇中超声清洗30‑90min后烘干备用,将清洗过的基片垂直固定在已超声分散的SiO2胶体溶液中,移入干燥箱中,干燥时间为24‑30h,干燥温度为40‑65℃,得到组装好的SiO2胶体晶体膜;(3)将从干燥箱中取出的SiO2胶体晶体膜放入蒸镀仪中镀碳膜,使SiO2胶体晶体膜表面的碳膜厚度为5‑10nm;(4)将已经镀过碳膜的SiO2胶体晶体膜取出,改变靶材为铂金,采用真空离子溅射法在其表面再镀一层厚度为5‑10nm的铂金膜,即可得到低角度依赖高饱和度蓝色SiO2胶体晶体膜。
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