[发明专利]添加MgO的0.475NBT-0.525BCTZ高储能密度陶瓷材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201610060238.2 | 申请日： | 2016-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN105753469A | 公开（公告）日： | 2016-07-13 |
| 发明（设计）人： | 蒲永平;姚谋腾;高淑雅 | 申请（专利权）人： | 陕西科技大学 |
| 主分类号： | C04B35/49 | 分类号： | C04B35/49;C04B35/475;C04B35/622 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 安彦彦 |
| 地址： | 710021 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种添加MgO的0.475NBT‑0.525BCTZ高储能密度陶瓷材料的制备方法，将BCTZ陶瓷粉体、NBT陶瓷粉体和氧化镁粉体按照化学式0.475NBT‑0.525BCTZ‑x wt％MgO配料，混合均匀后经造粒、成型后，在1150‑1180℃下保温2‑6h烧结成瓷，得到高储能密度陶瓷材料；其中，x取值范围为3‑7。本发明的制备工艺简单，操作简单、成本低，为大规模、低成本制备新型高储能密度陶瓷材料提供了基础。 | ||
| 搜索关键词： | 添加 mgo 0.475 nbt 0.525 bctz 高储能 密度 陶瓷材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种添加MgO的0.475NBT‑0.525BCTZ高储能密度陶瓷材料的制备方法，其特征在于，将BCTZ陶瓷粉体、NBT陶瓷粉体和氧化镁粉体按照化学式0.475NBT‑0.525BCTZ‑x wt％MgO配料，混合均匀后经造粒、成型后，在1150‑1180℃下保温2‑6h烧结成瓷，得到高储能密度陶瓷材料；其中，x取值范围为3‑7。
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