[发明专利]NiWP纳米线及其氧化铝模板水热合成方法在审
申请号: | 201610047688.8 | 申请日: | 2016-01-22 |
公开(公告)号: | CN105668532A | 公开(公告)日: | 2016-06-15 |
发明(设计)人: | 周阔;梁砚琴;杨贤金;崔振铎;朱胜利;李朝阳 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | C01B25/08 | 分类号: | C01B25/08;B82Y40/00 |
代理公司: | 天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙) 12214 | 代理人: | 王秀奎 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明公开NiWP纳米线及其氧化铝模板水热合成方法,将具有微孔的氧化铝模板,在SnCl2和PdCl2的溶液中预处理后,再将处理后的模板放在NiSO4·H2O、NaWO4·H2O、NaH2PO2·H2O和柠檬酸钠为前驱体的混合溶液中进行水热合成,最后将水浴处理后的模板用NaOH水溶液溶解掉。本发明实施费用低、操作简便、无污染,是一种高效简便经济的合成方法,且制备的NiWP纳米线表现出较好的性能。 | ||
搜索关键词: | niwp 纳米 及其 氧化铝 模板 合成 方法 | ||
【主权项】:
NiWP纳米线,其特征在于,NiWP纳米线具有棒状形貌特征,直径在100—120nm,长度为1.2—1.5um由元素Ni、W和P组成,且表现为非晶态,按照下述步骤进行:步骤1,将氧化铝模板浸泡在SnCl2的水溶液中,以使SnCl2均匀分散在氧化铝模板中;步骤2,将步骤1中浸泡过SnCl2的氧化铝模板浸泡在PdCl2的水溶液中,以使PdCl2均匀分散在氧化铝模板中;步骤3,将经过步骤1和步骤2处理的氧化铝模板转移至由NiSO4·H2O、NaWO4·H2O、NaH2PO2·H2O和柠檬酸钠组成的混合水溶液中进行水热反应,反应温度为70—90摄氏度,反应时间至少2小时,NiSO4·H2O浓度为10—15g/L、NaWO4·H2O浓度为30‑50g/L、NaH2PO2·H2O为20—25g/L、柠檬酸钠浓度为40—50g/L;步骤4,将经过步骤3水热反应的氧化铝模板置于氢氧化钠水溶液中,以使氧化铝模板溶解,即得到NiWP纳米线。
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