[发明专利]一种高耐压陶瓷电介质材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201610040913.5 | 申请日： | 2016-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN105693237B | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 顾燕;刘志甫;李永祥 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C04B35/468 | 分类号： | C04B35/468;C04B35/622 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高耐压陶瓷电介质材料及其制备方法，所述高耐压陶瓷电介质材料为钙钛矿结构，其击穿场强大于20 kV/mm。所述高耐压陶瓷电介质材料中分布的晶粒的尺寸为100‑500nm。本发明的提供的高耐压陶瓷电介质材料，与相同组成的微米级高耐压陶瓷电介质材料相比，具有更高的直流击穿场强，并且温度稳定性变得更好。 | ||
| 搜索关键词： | 陶瓷电介质材料 高耐压 制备 场强 钙钛矿结构 温度稳定性 晶粒 击穿场强 直流击穿 微米级 | ||
【主权项】：
1.一种高耐压陶瓷电介质材料的制备方法，其特征在于，包括：按照一定质量比称取纳米BaTiO3 、纳米CaTiO3 、纳米M2 O3 、和纳米MgO，均匀混合后，得原始粉料；所述纳米BaTiO3 、纳米CaTiO3 、纳米M2 O3 、纳米MgO 的质量比为：(50-60)：( 0.5-1)：( 0.2-2)：( 0.1-0.5 )；所述M2 O3 为Dy2 O3 、La2 O3 、Sm2 O3 、Er2 O3 、Y2 O3 中的至少一种；将所得原始粉料一次球磨后，在1000-1100℃下煅烧1-3小时，得到陶瓷粉料；将所得陶瓷粉料二次球磨后，压制成型，在1350-1450℃中烧结3-4小时，自然冷却，得到所述高耐压陶瓷电介质材料；所述高耐压陶瓷电介质材料为钙钛矿结构，其击穿场强大于20 kV/mm；所述纳米BaTiO3 和纳米CaTiO3 的粒径为50-500nm；所述纳米M2 O3 和纳米MgO的粒径为20-200 nm。
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