[发明专利]一种用于防治文物虫霉的熏蒸方法

摘要

本发明公开了一种用于防治文物虫霉的熏蒸方法，其包括如下操作：将熏蒸剂与文物放入熏蒸箱内，在25～45℃下进行熏蒸1～36小时后，减压抽气1～3小时，打开熏蒸箱，移出文物；所述熏蒸剂是具有通式I：或者通式II：所示化学结构的化合物。本发明不仅实现了对文物常见虫霉病害的安全有效防治，而且对环境的污染最低，具有绿色环保的优点；尤其是，本发明可实现在同一熏蒸环境下对多种材质的文物和各种文物霉、菌、害虫进行一次性处理，并且经过本发明熏蒸处理后的文物，能在文物馆藏环境下放置至少半年以上不再复生霉、菌、害虫；另外，本发明方法还具有操作简单，成本低，适用的材质和霉、菌、害虫范围广等优点。

主权项

1.一种用于防治文物虫霉的熏蒸方法，包括如下操作：将熏蒸剂与文物放入熏蒸箱内，在25～45℃下进行熏蒸1～36小时后，减压抽气1～3小时，打开熏蒸箱，移出文物；其特征在于，所述熏蒸剂是具有通式I：或者通式II：所示化学结构的化合物，其中，所述通式I中：X为卤素或羟基；Y₁和Y₂各自独立选自H或F；R¹为R³取代的C₁‑C₁₀烷烃基、R³取代的C₂‑C₁₀烯烃基、R³取代的苯基、R³取代的苄基、R³取代的C₃‑C₈环烷基、R³取代的C₃‑C₈环烯烃基或R³取代的金刚烷基；所述R³选自氢、羟基、卤素、C₁‑C₃烷烃基、C₂‑C₃烯烃基中的至少一种；所述通式II中：X为卤素或羟基；R²为R⁴取代的C₂‑C₄烯烃基、R⁴取代的苯基、R⁴取代的苄基、R⁴取代的C₃‑C₈环烷基、R⁴取代的C₃‑C₈环烯烃基或R⁴取代的金刚烷基；所述R⁴选自氢、羟基、卤素、C₁‑C₃烷烃基、C₂‑C₃烯烃基中的至少一种。