[发明专利]具有从匹配自旋转移层的高自旋注入效率的自旋逻辑装置有效
| 申请号： | 201580080381.1 | 申请日： | 2015-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN107667406B | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | S.马尼帕特鲁尼;A.绍德里;D.E.尼科诺夫;D.J.米夏拉克;I.A.扬 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01F10/193 | 分类号： | H01F10/193;H01F41/30;H03K19/16 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李啸;刘春元 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述一种设备，其包括：由带有足够高各向异性和足够低磁性饱和的一种或多种材料形成的输入磁体，以增大自旋电流的注入；以及耦合到输入磁体的第一界面层，其中第一界面层由非磁性材料形成，使得第一界面层和输入磁体一起具有充分匹配的原子结晶层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 匹配 自旋 转移 注入 效率 逻辑 装置 | ||
【主权项】：
一种设备，包括：输入磁体，由带有足够高各向异性和足够低磁性饱和的一种或多种材料形成，以增大自旋电流的注入；以及耦合到所述输入磁体的第一界面层，其中所述第一界面层由非磁性材料形成，使得所述第一界面层和所述输入磁体一起具有充分匹配的原子结晶层。
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