[发明专利]电子器件级单晶金刚石及其制备方法有效
| 申请号： | 201580073480.7 | 申请日： | 2015-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN107428541B | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | D.S.米斯拉;T.阿瓦拉多 | 申请（专利权）人： | 二A科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/26 | 分类号： | C01B32/26;C30B25/00;C30B25/20;C30B29/04 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 段菊兰;黄念 |
| 地址： | 新加坡新加坡市珠烈街6*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种利用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)工艺制备电子器件级单晶金刚石的方法，其包括：(a)选择具有预定取向的金刚石种子或基底，(b)从所述金刚石种子或基底清洁和/或蚀刻非金刚石相和其它引起的表面损伤，借此该步骤可进行一次或更多次，(c)在清洁/蚀刻过的金刚石种子或基底上生长一层极其低晶体缺陷密度金刚石表面，借此该步骤可进行一次或更多次，和(d)在该低晶体缺陷密度金刚石表面层的顶部上生长电子器件级单晶金刚石。 | ||
| 搜索关键词： | 电子器件 级单晶 金刚石 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种利用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)工艺制备电子器件级单晶金刚石的方法，其包括：(a)选择具有预定取向的金刚石种子或基底，(b)从所述金刚石种子或基底清洁和/或蚀刻非金刚石相和其它引起的表面损伤，借此该步骤可进行一次或更多次，(c)在清洁/蚀刻过的金刚石种子或基底上生长一层极其低晶体缺陷密度金刚石表面，借此该步骤可进行一次或更多次，和(d)在该低晶体缺陷密度金刚石表面层的顶部上生长电子器件级单晶金刚石。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于二A科技有限公司，未经二A科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201580073480.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
