[发明专利]多重图案化工艺的度量有效
| 申请号： | 201580055340.7 | 申请日： | 2015-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN106796105B | 公开（公告）日： | 2020-01-31 |
| 发明（设计）人： | S·潘戴夫;D·桑科;A·库兹涅佐夫 | 申请（专利权）人： | 科磊股份有限公司 |
| 主分类号： | G01B11/24 | 分类号： | G01B11/24 |
| 代理公司： | 11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提出用于评估多重图案化工艺的性能的方法及系统。测量图案化结构且确定特征化由所述多重图案化工艺引发的几何误差的一或多个参数值。在一些实例中，测量主、多重图案化目标且通过信号响应度量SRM测量模型从所述测量数据直接确定所关注参数的值。在一些其它实例中，测量主、多重图案化目标及辅助目标且通过信号响应度量SRM测量模型从所述测量数据直接确定所关注参数的值。在一些其它实例中，在不同过程步骤处测量主、多重图案化目标且通过信号响应度量SRM测量模型从所述测量数据直接确定所关注参数的值。 | ||
| 搜索关键词： | 多重 图案 化工 度量 | ||
【主权项】：
1.一种度量方法，其包括：/n为半导体晶片上的第一多个测量位点提供第一照明光量，其中所述第一多个测量位点中的每一者包含至少一个多重图案化度量目标，所述多重图案化度量目标以由多重图案化工艺中的至少两个图案化步骤产生的至少一个所关注参数为特征，其中通过所述多重图案化工艺制造的所述至少一个多重图案化度量目标中的间距是被用在所述多重图案化工艺中的光刻系统的光罩的多个间距，其中所述至少一个所关注参数指示由所述多重图案化工艺导致的几何误差，其中位于一或多个所述第一多个测量位点处的至少一个所述多重图案化度量目标不同于至少一个另一所述多重图案化度量目标；/n响应于提供到所述半导体晶片上的所述第一多个测量位点中的每一者的所述第一照明光量而检测来自所述第一多个测量位点中的每一者的光量，经检测光量包括第一光学测量数据量；/n接收与所述半导体晶片上的所述第一多个测量位点的测量相关联的所述第一光学测量数据量；/n基于所述第一光学测量数据量及信号响应度量SRM模型确定与所述第一多个测量位点中的每一者相关联的所述至少一个所关注参数的值，其中所述SRM模型是将所接收光学测量数据与所述至少一个所关注参数的值直接相关的输入输出模型测量模型；及/n将所述至少一个所关注参数的所述值存储于存储器中。/n
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