[发明专利]具有含不同数量的纳米线或2D材料带的晶体管的存储单元和逻辑单元有效
申请号: | 201580044065.9 | 申请日: | 2015-06-23 |
公开(公告)号: | CN106663594B | 公开(公告)日: | 2020-08-25 |
发明(设计)人: | J·卡瓦;V·莫洛兹 | 申请(专利权)人: | 美商新思科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;张昊 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 集成电路设计工具包括单元库。单元库包括用于多个单元的实体,单元库中的实体包括计算机可执行语言的特定单元的规格。单元库中的至少一个实体可以包括具有多个晶体管的存储单元的物理结构和定时参数的规范,多个晶体管中的至少一些晶体管具有包括一个或多个纳米线或2D材料带的相应集合的沟道,并且其中多个晶体管中的一个晶体管的沟道具有的纳米线或2D材料带的数量不同于多个晶体管中的另一晶体管的沟道具有的纳米线或2D材料带的数量。描述了包括存储单元的集成电路。 | ||
搜索关键词: | 具有 不同 数量 纳米 材料 晶体管 存储 单元 逻辑 | ||
【主权项】:
一种计算机系统,用于处理电路设计的计算机实施表示,所述计算机系统包括:处理器和耦合至所述处理器的存储器,所述存储器存储可由所述处理器执行的指令,包括运行布局过程以控制电路与其他电路或部件的物理布局的指令;可由所述布局过程使用的单元的规范,所述单元包括含多个晶体管的存储单元的物理结构和定时参数的规范,所述多个晶体管中的至少一些晶体管具有包括一个或多个纳米线或2D材料带的相应集合的沟道,并且其中所述多个晶体管中的一个晶体管的沟道具有的纳米线或2D材料带的数量不同于所述多个晶体管中的另一晶体管的沟道具有的纳米线或2D材料带的数量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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