[发明专利]具有降低的饱和淬火的量子点有效
申请号: | 201580022040.9 | 申请日: | 2015-04-08 |
公开(公告)号: | CN106463552B | 公开(公告)日: | 2019-07-05 |
发明(设计)人: | R.库勒;M.伦茨;D.韦尔德曼;P.J.贝斯茹 | 申请(专利权)人: | 亮锐控股有限公司 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;B82Y20/00;G02B6/122 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 张同庆;陈岚 |
地址: | 荷兰*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | 本发明提供一种照明设备(1),包括:(a)包含光接收面(110)的光转换器(100);以及(b)被配置成生成在光接收面(110)处具有至少10W/cm2的光子通量的光源光(11)的固态光源(10),其中光转换器(100)被配置成将光源光(11)的至少部分转换成具有第一频率的光转换器光(101),其中光转换器(100)包括处于选自光子晶体结构(31)和等离子体结构(32)的光学结构(30)中的半导体量子点(20),其中光学结构(30)被配置成增加光转换器(100)中的与第一频率谐振的光子态密度以用于降低饱和淬火,并且其中量子点(20)具有至少80%的量子效率。 | ||
搜索关键词: | 具有 降低 饱和 淬火 量子 | ||
【主权项】:
1.一种光转换器(100),包括被配置成接收来自光源的光源光的光接收面(110),其中光转换器(100)被配置成将光源光(11)的至少部分转换成具有多个不同的第一频率的光转换器光(101),其中光转换器(100)包括处于选自等离子体结构(32)的多个不同的光学结构(30)中的多个不同的半导体量子点(20),所述多个不同的半导体量子点(20)配置为提供可见频谱内的不同波长处的发射,其中所述不同的光学结构(30)被配置成增加光转换器(100)中的且与所述不同的第一频率谐振的光子态密度以用于降低饱和淬火,其中所述不同的光学结构包括包含所述不同的半导体量子点(20)的二氧化硅结构(301),其中所述不同的半导体量子点(20)的量子点发光核具有到所述不同的光学结构(30)所包括的金属结构(302)的至少5nm的最短距离,并且其中所述不同的量子点(20)具有至少80%的量子效率。
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