[发明专利]官能化IVA族颗粒框架的纳米硅材料制备在审
| 申请号： | 201580020610.0 | 申请日： | 2015-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN106463707A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 堤摩西·纽邦德;雷斯里·麦修斯;杰夫·诺瑞斯;贾罗斯洛·希斯德克 | 申请（专利权）人： | 克雷多斯公司 |
| 主分类号： | H01M4/1395 | 分类号： | H01M4/1395 |
| 代理公司： | 北京汇智英财专利代理事务所(普通合伙)11301 | 代理人： | 唐轶 |
| 地址： | 美国南卡*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供官能化IV A族颗粒、制备所述IV A族颗粒的方法、及使用所述IV A族颗粒的方法。所述IV A族颗粒可经覆盖所述颗粒的至少一部分的至少一个材料层钝化。所述材料层可为共价键结的非介电材料层。所述IV A族颗粒可用于包含锂离子电池及光伏打电池在内的各种技术中。 | ||
| 搜索关键词： | 官能 iva 颗粒 框架 纳米 材料 制备 | ||
【主权项】：
一种表面改质纳米颗粒，包含：核心材料，包含硅、锗、锡、或其组合；以及外表面，经一种或多种表面改质剂改质；其中，所述纳米颗粒的所述外表面实质上不含氧化硅物质，如由X射线光电子光谱分析(XPS)所表征。
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