[发明专利]驱动装置有效

专利信息
申请号: 201580015851.6 申请日: 2015-03-12
公开(公告)号: CN106134049B 公开(公告)日: 2018-10-30
发明(设计)人: 赤间贞洋;山本圣;小林敦;金森淳 申请(专利权)人: 株式会社电装
主分类号: H02M1/08 分类号: H02M1/08
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 高迪
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种驱动装置,对功率开关元件(200)进行控制,具备:进行所述功率开关元件的导通动作的通侧电路(110);以及进行断开动作的断侧电路(120)。所述通侧或断侧电路具有:多个主MOS晶体管(Tr10~Tr15、Tr50~Tr55);规定所述主MOS晶体管的漏极电流的感测MOS晶体管(Tr20、Tr60);将所述感测MOS晶体管的漏极电流控制为固定的感测电流控制电路(SC);以及与所述主MOS晶体管的栅极连接而对所述主MOS晶体管的导通断开进行控制从而切换所述功率开关元件的栅极电流的开关电路(SW)。
搜索关键词: 驱动 装置
【主权项】:
1.一种驱动装置,对功率开关元件(200)的导通断开进行控制,具备:通侧电路(110),进行所述功率开关元件的导通动作;以及断侧电路(120),进行所述功率开关元件的断开动作,所述通侧电路以及所述断侧电路中的至少一方的电路具有:多个主MOS晶体管(Tr10~Tr15、Tr50~Tr55),作为输出晶体管;感测MOS晶体管(Tr20、Tr60),栅极与所述多个主MOS晶体管的栅极共通,相对于所述多个主MOS晶体管构成电流镜,从而规定所述多个主MOS晶体管的漏极电流;以及感测电流控制电路(SC),将所述感测MOS晶体管的漏极电流控制为固定,进而,所述通侧电路以及所述断侧电路中的至少一方的电路具有:开关电路(SW),与所述多个主MOS晶体管的栅极连接,对所述多个主MOS晶体管的导通断开进行控制,从而切换所述功率开关元件中的栅极电流,所述多个主MOS晶体管各自在漏极与源极间相互并联连接,所述多个主MOS晶体管的漏极或源极共通地与所述通侧电路连接,所述开关电路具有多个开关(SW1~SW5),各个开关与所述感测MOS晶体管的栅极连接。
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