[发明专利]驱动装置有效
申请号: | 201580015851.6 | 申请日: | 2015-03-12 |
公开(公告)号: | CN106134049B | 公开(公告)日: | 2018-10-30 |
发明(设计)人: | 赤间贞洋;山本圣;小林敦;金森淳 | 申请(专利权)人: | 株式会社电装 |
主分类号: | H02M1/08 | 分类号: | H02M1/08 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 高迪 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种驱动装置,对功率开关元件(200)进行控制,具备:进行所述功率开关元件的导通动作的通侧电路(110);以及进行断开动作的断侧电路(120)。所述通侧或断侧电路具有:多个主MOS晶体管(Tr10~Tr15、Tr50~Tr55);规定所述主MOS晶体管的漏极电流的感测MOS晶体管(Tr20、Tr60);将所述感测MOS晶体管的漏极电流控制为固定的感测电流控制电路(SC);以及与所述主MOS晶体管的栅极连接而对所述主MOS晶体管的导通断开进行控制从而切换所述功率开关元件的栅极电流的开关电路(SW)。 | ||
搜索关键词: | 驱动 装置 | ||
【主权项】:
1.一种驱动装置,对功率开关元件(200)的导通断开进行控制,具备:通侧电路(110),进行所述功率开关元件的导通动作;以及断侧电路(120),进行所述功率开关元件的断开动作,所述通侧电路以及所述断侧电路中的至少一方的电路具有:多个主MOS晶体管(Tr10~Tr15、Tr50~Tr55),作为输出晶体管;感测MOS晶体管(Tr20、Tr60),栅极与所述多个主MOS晶体管的栅极共通,相对于所述多个主MOS晶体管构成电流镜,从而规定所述多个主MOS晶体管的漏极电流;以及感测电流控制电路(SC),将所述感测MOS晶体管的漏极电流控制为固定,进而,所述通侧电路以及所述断侧电路中的至少一方的电路具有:开关电路(SW),与所述多个主MOS晶体管的栅极连接,对所述多个主MOS晶体管的导通断开进行控制,从而切换所述功率开关元件中的栅极电流,所述多个主MOS晶体管各自在漏极与源极间相互并联连接,所述多个主MOS晶体管的漏极或源极共通地与所述通侧电路连接,所述开关电路具有多个开关(SW1~SW5),各个开关与所述感测MOS晶体管的栅极连接。
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
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