[发明专利]光电转换元件在审
申请号: | 201580012467.0 | 申请日: | 2015-02-12 |
公开(公告)号: | CN106062972A | 公开(公告)日: | 2016-10-26 |
发明(设计)人: | 浅野直城;稗田健;冈本亲扶;松本雄太;东贤一;重田博昭 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L31/056 | 分类号: | H01L31/056;H01L31/0236;H01L31/0747 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 李罡;陆锦华 |
地址: | 日本大*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供一种与以往相比能够提高特性和可靠性的光电转换元件和光电转换元件的制造方法。光电转换元件具备基体(10)、电极部(20)以及反射部(30),其中所述基体(10)具有:半导体基板(1);第一i型半导体膜(2),设置于半导体基板(1)的一个表面的一部分;第一导电类型半导体膜(3),设置于第一i型半导体膜(2)上;第二i型半导体膜(4),设置于表面的另一部分;以及第二导电类型半导体膜(5),设置于第二i型半导体膜(4)上,所述电极部(20)具有:第一电极层(21),设置于第一导电类型半导体膜(3)上;以及第二电极层(22),设置于第1第二导电类型半导体膜(5)上,所述反射部(30)设置于被第一电极层(21)和第二电极层(22)夹着的间隙区域(A)。 | ||
搜索关键词: | 光电 转换 元件 | ||
【主权项】:
一种光电转换元件,其特征在于,具备:基体;电极部;以及反射部,所述基体具有:半导体基板;第一i型半导体膜,设置于所述半导体基板的一个表面的一部分;第一导电类型半导体膜,设置于所述第一i型半导体膜上;第二i型半导体膜,设置于所述表面的另一部分;以及第二导电类型半导体膜,设置于所述第二i型半导体膜上,所述电极部具有:第一电极层,设置于所述第一导电类型半导体膜上;以及第二电极层,设置于所述第二导电类型半导体膜上,所述反射部设置于被所述第一电极层和所述第二电极层夹着的间隙区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的