[发明专利]光电转换元件在审

专利信息
申请号: 201580012467.0 申请日: 2015-02-12
公开(公告)号: CN106062972A 公开(公告)日: 2016-10-26
发明(设计)人: 浅野直城;稗田健;冈本亲扶;松本雄太;东贤一;重田博昭 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: H01L31/056 分类号: H01L31/056;H01L31/0236;H01L31/0747
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 李罡;陆锦华
地址: 日本大*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 提供一种与以往相比能够提高特性和可靠性的光电转换元件和光电转换元件的制造方法。光电转换元件具备基体(10)、电极部(20)以及反射部(30),其中所述基体(10)具有:半导体基板(1);第一i型半导体膜(2),设置于半导体基板(1)的一个表面的一部分;第一导电类型半导体膜(3),设置于第一i型半导体膜(2)上;第二i型半导体膜(4),设置于表面的另一部分;以及第二导电类型半导体膜(5),设置于第二i型半导体膜(4)上,所述电极部(20)具有:第一电极层(21),设置于第一导电类型半导体膜(3)上;以及第二电极层(22),设置于第1第二导电类型半导体膜(5)上,所述反射部(30)设置于被第一电极层(21)和第二电极层(22)夹着的间隙区域(A)。
搜索关键词: 光电 转换 元件
【主权项】:
一种光电转换元件,其特征在于,具备:基体;电极部;以及反射部,所述基体具有:半导体基板;第一i型半导体膜,设置于所述半导体基板的一个表面的一部分;第一导电类型半导体膜,设置于所述第一i型半导体膜上;第二i型半导体膜,设置于所述表面的另一部分;以及第二导电类型半导体膜,设置于所述第二i型半导体膜上,所述电极部具有:第一电极层,设置于所述第一导电类型半导体膜上;以及第二电极层,设置于所述第二导电类型半导体膜上,所述反射部设置于被所述第一电极层和所述第二电极层夹着的间隙区域。
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