[发明专利]半导体的选择性电化学蚀刻有效
| 申请号： | 201580007817.4 | 申请日： | 2015-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN105981131B | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 拉金德拉·P·达哈尔;伊什瓦拉·B·巴特;周达成 | 申请（专利权）人： | 伦斯勒理工学院 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/46;H01L21/465 |
| 代理公司： | 11112 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾丽波;李荣胜<国际申请>=PCT/US |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了用于促成半导体结构制造的方法，包括：提供包括半导体层的多层结构，该半导体层包括掺杂物并且具有增大的电导率；使用电化学处理，至少部分地选择性增大半导体层的孔隙度，选择性增大孔隙度利用了半导体层的增大的电导率；和借助选择性增大的孔隙度从多层结构中至少部分地除掉半导体层。作为例子，选择性增大孔隙度可以包括至少部分地对多层结构的半导体层有选择地进行阳极氧化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 选择性 电化学 蚀刻 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：/n提供包括第一半导体层和第二半导体层的多层结构，所述第一半导体层和所述第二半导体层各自包含碳化硅或硅碳合金，所述第一半导体层包括比所述第二半导体层更高浓度的掺杂物和更高的电导率，所述第一半导体层是n+层；/n通过在包含无机酸和氧化物类的电解液中用电化学方法处理所述第一半导体层，至少部分地选择性增大所述第一半导体层的孔隙度，选择性增大孔隙度利用了所述第一半导体层的更高的电导率；和/n借助选择性增大的孔隙度从所述多层结构中用电化学方法处理至少部分地除掉所述第一半导体层，所述第二半导体层具有高品质C面和Si面，/n其中用电化学方法处理包括对通过所述电解液和所述第一半导体层施加的电流密度进行控制，选择性增大的孔隙度至少部分地是所施加电流密度的函数，所施加的电流密度处于0.1A/cm2到1A/cm2的范围之内。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
