[实用新型]一种紧凑型D-D中子发生器有效

专利信息
申请号: 201520903910.0 申请日: 2015-11-13
公开(公告)号: CN205124106U 公开(公告)日: 2016-03-30
发明(设计)人: 姚泽恩;王俊润;张宇;韦铮;徐大鹏;卢小龙 申请(专利权)人: 兰州大学
主分类号: H05H3/06 分类号: H05H3/06
代理公司: 兰州振华专利代理有限责任公司 62102 代理人: 张晋
地址: 730000 *** 国省代码: 甘肃;62
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摘要: 实用新型公开一种紧凑型D-D中子发生器。本实用新型包括:真空腔体、离子源系统、束流引出加速系统、靶系统、高压馈入系统及真空泵系统,其中由离子源产生的离子束流被引出、加速并与靶系统上的氘靶发生D-D聚变核反应放出中子,其真空腔体的两端分别用离子源阳极法兰和第二法兰与离子源系统和束流引出加速系统、靶系统、高压馈入系统实现联接,真空腔体与离子源阳极法兰和高压馈入系统法兰间通过 “O”型圈实现密封,所述的离子源为双等离子源,其内通有D气体。本实用新型中子产额可大于1×108s-1量级,并可以很方便地更换离子源或靶片等系统及其它的内设部件,同时大大降低了使用的成本。
搜索关键词: 一种 紧凑型 中子 发生器
【主权项】:
一种紧凑型D‑D中子发生器,包括:真空腔体;离子源系统;束流引出加速系统;靶系统;高压馈入系统及真空泵系统;其中由离子源产生的离子束流被引出、加速并与靶系统上的氘靶发生D‑D聚变核反应放出中子,其特征在于真空腔体为一段管状构件,其两端分别用离子源阳极法兰和第二法兰与离子源系统和束流引出加速系统、靶系统、高压馈入系统实现联接,真空腔体与离子源阳极法兰和高压馈入系统法兰间分别通过第一和第二“O”型圈实现真空密封,同时由真空泵系统抽气保持真空腔体内为高真空,所述的离子源为双等离子源,其内通有D气体。
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