[实用新型]一种高效晶硅太阳能电池有效
申请号: | 201520792590.6 | 申请日: | 2015-10-14 |
公开(公告)号: | CN205104495U | 公开(公告)日: | 2016-03-23 |
发明(设计)人: | 方结彬;秦崇德;石强;黄玉平;何达能;陈刚 | 申请(专利权)人: | 广东爱康太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0236;H01L31/18 |
代理公司: | 佛山市中迪知识产权代理事务所(普通合伙) 44283 | 代理人: | 张伶俐 |
地址: | 528100 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种高效晶硅太阳能电池,其特征在于,包括正电极、N型硅、P型硅衬底、铝背场和背电极,N型硅、P型硅衬底和铝背场自上而下依次层叠式设置,所述P型硅衬底上下表面均为抛光面,N型硅上表面层叠有氧化层和减反膜,氧化层位于N型硅与减反膜之间,氧化层表面为绒面。与现有技术相比,本实用新型具有如下有益效果:P型硅衬底上下表面均为抛光面,具有能得到均匀性好的PN结的优点;N型硅上表面层叠有氧化层和减反膜,氧化层位于N型硅与减反膜之间,氧化层表面为绒面,绒面设在氧化层表面而不是直接做在硅表面,具有使硅片正面拥有较低的表面复合速率,有效降低反射率,提升电池的光电转换效率的优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 高效 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种高效晶硅太阳能电池,其特征在于,包括正电极、N型硅、P型硅衬底、铝背场和背电极,N型硅、P型硅衬底和铝背场自上而下依次层叠式设置,其特征在于:所述P型硅衬底上下表面均为抛光面,N型硅上表面层叠有氧化层和减反膜,氧化层位于N型硅与减反膜之间,氧化层表面为绒面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东爱康太阳能科技有限公司,未经广东爱康太阳能科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201520792590.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:光电转换阵列
- 下一篇:一种基于钙钛矿双栅碳纳米管铁电存储器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的