[实用新型]一种宽带的中红外调制器有效
| 申请号： | 201520779022.2 | 申请日： | 2015-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN205176417U | 公开（公告）日： | 2016-04-20 |
| 发明（设计）人： | 刘志军;彭昊;蒋亚东 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G02F1/01 | 分类号： | G02F1/01 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 裴娜 |
| 地址： | 610054 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型涉一种宽带的中红外调制器，所述中红外调制器为多层结构，中红外调制器以二氧化钒为温控相变材料；所述中红外调制器的多层结构的最下层为金，最上层为二氧化硅，二氧化钒层位于中红外调制器的中部，二氧化钒层的上侧设有钛金属层。其中，优选的结构为，中红外调制器的多层结构从下至上依次为金、二氧化硅、二氧化钒、钛金属、二氧化硅。本实用新型的宽带的中红外调制器，该中红外调制器的带宽达到中心波长的94％；该中红外调制器的结构为层状结构，制作简单、成本低，层状薄膜结构无需图案化印刷技术，因此可简化制作工艺、降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 宽带 红外 调制器 | ||
【主权项】：
一种宽带的中红外调制器，其特征在于，所述中红外调制器为多层结构，中红外调制器以二氧化钒为温控相变材料；所述中红外调制器的多层结构的最下层为金，最上层为二氧化硅，二氧化钒层位于中红外调制器的中部，二氧化钒层的上侧设有钛金属层。
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