[实用新型]一种CZTS薄膜电池有效
申请号: | 201520257511.1 | 申请日: | 2015-04-24 |
公开(公告)号: | CN204516782U | 公开(公告)日: | 2015-07-29 |
发明(设计)人: | 余冬冬;杨春秀;叶权华;符政宽 | 申请(专利权)人: | 江苏武进汉能光伏有限公司 |
主分类号: | H01L31/0392 | 分类号: | H01L31/0392 |
代理公司: | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人: | 徐琳淞 |
地址: | 213000 江苏省常州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种CZTS薄膜电池,由下至上依次为玻璃衬底、导电层、吸收层、缓冲层和透明导电窗口层;所述导电层为石墨烯,厚度为0.5~5nm;所述吸收层为原子层沉积的CZTS,厚度为500nm~5um;所述缓冲层为Zn(O,S),厚度为10~50nm。本实用新型采用原子层沉积的CZTS,可以精确的控制元素配比及沉积速率,退火后形成大晶粒尺寸、晶界晶面缺陷少、致密的吸收层材料,因此能够优化薄膜电池的能带匹配,提高电池效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 czts 薄膜 电池 | ||
【主权项】:
一种CZTS薄膜电池,其特征在于:由下至上依次为玻璃衬底(1)、导电层(2)、吸收层(3)、缓冲层(4)和透明导电窗口层(5);所述导电层(2)为石墨烯,厚度为0.5~5nm;所述吸收层(3)为原子层沉积的CZTS,厚度为500nm~5um;所述缓冲层(4)为Zn(O,S),厚度为10~50nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的