[实用新型]三相双向逆变式变换器有效
| 申请号： | 201520184958.0 | 申请日： | 2015-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN204517697U | 公开（公告）日： | 2015-07-29 |
| 发明（设计）人： | 刘学超;阮胜超 | 申请（专利权）人： | 深圳市鹏源电子有限公司 |
| 主分类号： | H02M7/797 | 分类号： | H02M7/797 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 518034 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种三相双向逆变式变换器，其包括：第一至第六碳化硅MOSFET，第一碳化硅MOSFET的源极与第二碳化硅MOSFET的漏极之间具有第一节点；第三碳化硅MOSFET的源极与第四碳化硅MOSFET的漏极之间具有第二节点；第五碳化硅MOSFET的源极与第六碳化硅MOSFET的漏极之间具有第三节点；第一滤波电路；驱动控制电路分别输出六组驱动控制信号给第一至第六碳化硅MOSFET以控制第一至第六碳化硅MOSFET的导通和关断，以使三相双向逆变式变换器将直流电源输出的直流电转换为交流电，或者将交流电源输出的交流电转换为直流电。该变换器可实现高开关频率工作，从而减小储能系统的体积和大小，降低研发、生产和运输成本。 | ||
| 搜索关键词： | 三相 双向 逆变式 变换器 | ||
【主权项】：
一种三相双向逆变式变换器，其特征在于，包括：第一碳化硅MOSFET和第二碳化硅MOSFET，所述第一碳化硅MOSFET的漏极与直流电源的正极端相连，所述第一碳化硅MOSFET的源极与所述第二碳化硅MOSFET的漏极相连，所述第二碳化硅MOSFET的源极与所述直流电源的负极端相连，所述第一碳化硅MOSFET的源极与所述第二碳化硅MOSFET的漏极之间具有第一节点；第三碳化硅MOSFET和第四碳化硅MOSFET，所述第三碳化硅MOSFET的漏极与所述直流电源的正极端相连，所述第三碳化硅MOSFET的源极与所述第四碳化硅MOSFET的漏极相连，所述第四碳化硅MOSFET的源极与所述直流电源的负极端相连，所述第三碳化硅MOSFET的源极与所述第四碳化硅MOSFET的漏极之间具有第二节点；第五碳化硅MOSFET和第六碳化硅MOSFET，所述第五碳化硅MOSFET的漏极与所述直流电源的正极端相连，所述第五碳化硅MOSFET的源极与所述第六碳化硅MOSFET的漏极相连，所述第六碳化硅MOSFET的源极与所述直流电源的负极端相连，所述第五碳化硅MOSFET的源极与所述第六碳化硅MOSFET的漏极之间具有第三节点；第一滤波电路，所述第一滤波电路的一端分别与所述第一节点、所述第二节点和所述第三节点相连，所述第一滤波电路的另一端与交流电源相连；驱动控制电路，所述驱动控制电路分别输出六组驱动控制信号给第一至第六碳化硅MOSFET以控制所述第一至第六碳化硅MOSFET的导通和关断，以使所述三相双向逆变式变换器将所述直流电源输出的直流电转换为交流电，或者将所述交流电源输出的交流电转换为直流电。
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