[发明专利]基于任意基底的石墨烯生成方法、装置及设备有效
| 申请号： | 201510933166.3 | 申请日： | 2015-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN105399089B | 公开（公告）日： | 2018-11-30 |
| 发明（设计）人： | 张淼;茆胜;慈立杰 | 申请（专利权）人： | 深圳市国创新能源研究院 |
| 主分类号： | C01B32/184 | 分类号： | C01B32/184 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 张全文 |
| 地址： | 518000 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于任意基底的石墨烯生成方法，包括：将金属与碳生成碳金属合金；控制温度高于所述碳金属合金的熔点，将所述液态的碳金属合金浇涂于基底表面；在所述碳金属与基底的界面进行偏析，导走液态碳金属合金，生成石墨烯薄膜。本发明通过碳金属合金偏析的方式，可方便导走液态碳合金材料，使得可以在任意基底生成石墨烯薄膜，并且也不需要蚀刻、水、有机溶剂的参与，减少了生成石墨烯对基底的限制，以及石墨烯生成时的其它配料参与的限制。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 任意 基底 石墨 生成 方法 装置 设备 | ||
【主权项】：
1.一种基于任意基底的石墨烯生成方法，其特征在于，所述方法包括：将金属与碳生成碳金属合金，进行降温处理，所述金属为镓，镓和铟的合金，镓和锡的合金，或者镓和锌的合金；控制温度高于所述碳金属合金的熔点，使得所述碳金属合金为液态的碳金属合金，并将所述液态的碳金属合金浇涂于基底表面；所述温度的范围为30摄氏度至35摄氏度；在所述碳金属合金与基底的界面进行偏析，导走液态碳金属合金，生成石墨烯薄膜。
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