[发明专利]一种金刚石微透镜阵列及其制备方法在审
| 申请号： | 201510920190.3 | 申请日： | 2015-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN105372726A | 公开（公告）日： | 2016-03-02 |
| 发明（设计）人： | 张彦峰;李芸霄;陈钰杰;王易;刘林;余思远 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | G02B3/00 | 分类号： | G02B3/00 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 林丽明 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种金刚石微透镜阵列及其制备方法，其中所述制备方法包括以下步骤：a）在金刚石衬底上通过转移或生长的方法覆盖一层硬掩膜；b）在硬掩膜上涂覆一层光刻胶；c）使用三维光刻胶曝光法或热熔法产生光刻胶的微透镜阵列；d）根据所需制备的微透镜高度与直径的比值，分别确定对硬掩膜和金刚石衬底进行等离子体刻蚀的等离子体刻蚀参数，然后按照确定的等离子体刻蚀参数对硬掩膜层和金刚石衬底进行等离子体刻蚀，得到金刚石微透镜阵列。本发明提供的制备方法能够制备出微透镜高度与直径及其比值任意可调的金刚石微透镜阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金刚石 透镜 阵列 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种金刚石微透镜阵列制备方法，其特征在于：包括以下步骤：a）在金刚石衬底上通过转移或生长的方法覆盖一层硬掩膜；b）在硬掩膜上涂覆一层光刻胶；c）使用三维光刻胶曝光法或热熔法产生光刻胶的微透镜阵列；d）根据所需制备的微透镜高度与直径的比值，分别确定对硬掩膜和金刚石衬底进行等离子体刻蚀的等离子体刻蚀参数，然后按照确定的等离子体刻蚀参数对硬掩膜层和金刚石衬底进行等离子体刻蚀，得到金刚石微透镜阵列。
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