[发明专利]具有独立感测电路的半导体存储器件以及相关感测方法有效
申请号: | 201510919424.2 | 申请日: | 2015-12-11 |
公开(公告)号: | CN105702284B | 公开(公告)日: | 2020-12-22 |
发明(设计)人: | 李宰圭 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C13/00 | 分类号: | G11C13/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邵亚丽;贾洪菠 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 公开了具有独立感测电路的半导体存储器件以及相关感测方法。用于半导体存储器件的感测电路包括具有第一端和第二端的位线、感测线、电流供应单元和感测放大器。多个存储单元连接在第一端与第二端之间。感测线连接到位线的第二端,电流供应单元经由位线的第一端供应感测电流的。当感测电流从位线的第一端流到所选择的存储单元时,感测放大器通过将感测线的感测电压与参考电压相比较来感测存储在所选择的存储单元中的数据。 | ||
搜索关键词: | 具有 独立 电路 半导体 存储 器件 以及 相关 方法 | ||
【主权项】:
一种用于半导体存储器件的感测电路,包括:具有第一端和第二端的位线,多个存储单元连接在位线的第一端与第二端之间;感测线,连接到位线的第二端;电流供应单元,被配置为向位线的第一端供应感测电流;和感测放大器,被配置为当感测电流从位线的第一端流到所选择的一个存储单元时,通过将感测线的感测电压与参考电压相比较来感测存储在所选择的一个存储单元中的数据。
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