[发明专利]直接浸泡反应式的泡沫镍-石墨烯三维多孔电极制备方法在审
| 申请号： | 201510833005.7 | 申请日： | 2015-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN106803461A | 公开（公告）日： | 2017-06-06 |
| 发明（设计）人： | 余兴华;易秋珍;钟建夫;朱济群 | 申请（专利权）人： | 常德力元新材料有限责任公司 |
| 主分类号： | H01G11/24 | 分类号： | H01G11/24;H01G11/86;H01G11/30;H01G11/36;H01M4/36 |
| 代理公司： | 常德市长城专利事务所(普通合伙)43204 | 代理人： | 游先春 |
| 地址： | 415004 湖南省常德*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种直接浸泡反应式的泡沫镍‑石墨烯三维多孔电极制备方法，将泡沫镍依次采用冰醋酸、丙酮和乙醇进行清洗，然后将其通过去离子水清洗后晾干放置；制备质量浓度为0.5mg/mL〜5mg/mL的氧化石墨烯水溶液，然后将泡沫镍直接浸泡到其中静置反应，并且在此浸泡过程中反应温度被控制为30°C〜80°C，浸泡时间为2小时〜6小时，由此形成三维多孔结构的泡沫镍‑石墨烯产物。通过本发明，可以仅通过简单、便于操控的一个浸泡过程即可快速完成还原反应，并基于泡沫镍的基底增强效应在其表面上直接沉积生长石墨烯，最终形成三维多孔结构且高比表面积的产物，相应极大地提高了整体的反应速率，并尤其适用于大批量规模生产用途。 | ||
| 搜索关键词： | 直接 浸泡 反应式 泡沫 石墨 三维 多孔 电极 制备 方法 | ||
【主权项】：
直接浸泡反应式的泡沫镍‑石墨烯三维多孔电极制备方法，其特征在于，该方法包括下列步骤：将泡沫镍依次采用冰醋酸、丙酮和乙醇进行清洗，然后将其通过去离子水清洗后晾 干放置；制备质量浓度为0.5mg/mL〜10mg/mL的氧化石墨烯水溶液，然后将步骤（a)处 理后的泡沫镍直接浸泡到其中静置反应，并且在此浸泡过程中反应温度被控制为30°C〜 80°C，浸泡时间为2小时〜12小时；以此方式，石墨烯在浸泡过程中发生还原反应，并在作 为导电基底的泡沫镍表面上自发沉积生长为石墨烯，最终形成三维多孔结构的泡沫镍‑石 墨烯产物。
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