[发明专利]非易失性存储器电路和操作该非易失性存储器电路的方法有效
| 申请号： | 201510815119.9 | 申请日： | 2015-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN105719695B | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | K.S.M.路易;K.古延 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C16/14 | 分类号： | G11C16/14;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 万里晴 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 当在具有NAND类型的结构的闪速型非易失性存储器进行擦除时，呈现了用于在选择的字线、可编程选择晶体管的选择线或这些的某种组合上禁止擦除的技术。沿着选择的控制线的电压初始地以在相应的输入线上的电平斜升，但是然后通过与阱结构电容耦合使其电压升高到擦除禁止电平。这些输入信号的电平随施加到阱结构的擦除电压斜升，但是具有基于控制线和阱之间的耦合比的延迟。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 电路 操作 方法 | ||
【主权项】：
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