[发明专利]一种使用溶剂调控的PbS量子点异质结太阳电池及其制备方法有效
申请号: | 201510587067.4 | 申请日: | 2015-09-15 |
公开(公告)号: | CN105161562B | 公开(公告)日: | 2017-04-19 |
发明(设计)人: | 覃东欢;杨跃骅;吴荣方;薛浩 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
主分类号: | H01L31/0725 | 分类号: | H01L31/0725;H01L31/0352;H01L31/18 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司44102 | 代理人: | 何淑珍 |
地址: | 510640 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种使用溶剂调控的PbS量子点异质结太阳电池及其制备方法,所述PbS量子点异质结太阳电池由玻璃衬底、阴极、阴极界面层、光活性层和阳极依次层叠构成,其特征在于在制备光活性层时使用了溶剂调控工艺。使用正辛烷、异辛烷、庚烷、正己烷、甲苯之一或将其中两者混合作为溶剂溶解PbS量子点,并将该溶液采用旋涂、刷涂、喷涂、浸涂、辊涂、丝网印刷、印刷或喷墨打印方式形成光吸收层。利用溶剂不同的极性、粘度、沸点等性质调控PbS量子点薄膜,使薄膜更加质密和平整,减少薄膜中的缺陷。本发明可明显提高PbS量子点异质结太阳电池的能量转换效率。本发明制备工艺简单,制备过程可在大气环境下完成,大大地减少了制作成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 使用 溶剂 调控 pbs 量子 点异质结 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种使用溶剂调控的PbS量子点异质结太阳电池,其特征在于,所述太阳电池由玻璃衬底、阴极、阴极界面层、光活性层和阳极依次层叠构成;所述的光活性层在制备时使用了溶剂调控工艺;所述阴极的材料为掺氟二氧化锡透明导电膜或掺铝氧化锌透明导电膜;所述阴极界面层依次为ZnO和TiO2,ZnO厚度为30‑40nm,TiO2厚度为150‑250nm;所述光活性层由PbS量子点构成,光活性层厚度为200‑350nm;所述溶剂调控工艺为使用正辛烷、异辛烷、庚烷、正己烷和甲苯中的两种作为溶剂溶解PbS量子点;所述阳极的材料为Au,阳极的厚度为80‑100nm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华南理工大学,未经华南理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510587067.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:机组励磁变压器温控系统
- 下一篇:一种双平衡浮子流量控制器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的