[发明专利]耐磨抗静电抑菌PC复合材料及其制备方法在审
申请号: | 201510532364.9 | 申请日: | 2015-08-26 |
公开(公告)号: | CN105176036A | 公开(公告)日: | 2015-12-23 |
发明(设计)人: | 刘春艳;王正友;刘艺;林珊珊 | 申请(专利权)人: | 上海中镭新材料科技有限公司 |
主分类号: | C08L69/00 | 分类号: | C08L69/00;C08K9/10;C08K9/02;C08K9/04;C08K7/24;C08K3/36;C08J3/22 |
代理公司: | 上海交达专利事务所 31201 | 代理人: | 王毓理;王锡麟 |
地址: | 201300 上海市浦东新区宣桥*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种高分子材料领域的耐磨抗静电抑菌PC复合材料及其制备方法,通过将PC和MWCNT‐g‐SiO2‐NH2‐g‐PC母粒熔融共混得到,其中:MWCNT‐g‐SiO2‐NH2‐g‐PC母粒通过将MWCNT‐g‐SiO2‐NH2、DBTO和PC密炼接枝得到。本发明制备的PC复合材料具有耐磨、抗静电和抑菌的性能,可广泛应用于上网卡和手机、打印机等电子电器器械外壳,制备方法简便,适于工业化。 | ||
搜索关键词: | 耐磨 抗静电 pc 复合材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种耐磨抗静电抑菌PC复合材料的制备方法,其特征在于,通过将PC和MWCNT‐g‐SiO2‐NH2‐g‐PC母粒熔融共混得到,其中:MWCNT‐g‐SiO2‐NH2‐g‐PC母粒通过将MWCNT‐g‐SiO2‐NH2、DBTO和PC密炼接枝得到。
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