[发明专利]一种基于SIW加载H型缝隙结构的双通带滤波器

摘要

本发明公开了一种基于SIW加载H型缝隙结构的双通带滤波器，包括两个SIW腔谐振器和共面波导，所述两个SIW腔谐振器的两端通过共面波导分别与输入输出端连接，在两个SIW腔谐振器的耦合窗口正上方加载H型缝隙结构。本发明具有双通带，双传输零点，高选择性，结构紧凑易于加工等特点。

主权项

1.一种基于SIW加载H型缝隙结构的双通带滤波器，包括两个SIW腔谐振器和共面波导，所述两个SIW腔谐振器的两端通过共面波导分别与输入输出端连接，其特征在于：在两个SIW腔谐振器的耦合窗口正上方加载H型缝隙结构；所述两个SIW腔谐振器为在介质基板上左右分别设置若干金属化通孔围合形成，位于左侧的为第一SIW腔谐振器，位于右侧的为第二SIW腔谐振器；所述金属化通孔的直径均一致，且相邻金属化通孔之间的间距相同；所述介质基板包括介质基片(11)、上层金属层(12)和下层金属层(13)，设定介质基板上横向中线为y轴，纵向中线为x轴，所述介质基片(11)设置在上层金属层(12)和下层金属层(13)之间；所述H型缝隙结构包括第五槽线(25)、第六槽线(26)和第七槽线(27)，所述第五槽线(25)和第七槽线(27)平行设置在耦合窗口正上方，所述第五槽线(25)和第七槽线(27)关于y轴对称，所述第六槽线(26)垂直设置在第五槽线(25)与第七槽线(27)之间的中线上。