[发明专利]等电位网络三结砷化镓太阳能电池阵结构及制造方法在审
| 申请号： | 201510341778.3 | 申请日： | 2015-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN104966742A | 公开（公告）日： | 2015-10-07 |
| 发明（设计）人： | 赵颖;刘娜;刘松喆 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十八研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/05;H01L31/18 |
| 代理公司： | 天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101 | 代理人： | 李凤 |
| 地址： | 300384 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种等电位网络三结砷化镓太阳能电池阵结构及制造方法，其特征在于：每个三结砷化镓太阳能电池的效率大于28％；在每个三结砷化镓太阳能电池上粘贴有抗辐照玻璃盖片；在每个抗辐照玻璃盖片上蒸镀有MgF2减反射膜，在MgF2减反射膜上蒸镀有ITO透明导电膜；在ITO透明导电膜上蒸镀有一对ITO膜金属电极；每对ITO膜金属电极之间的电阻值不大于10kΩ；每个三结砷化镓太阳能电池组件由M个三结砷化镓太阳能电池组成，M个三结砷化镓太阳能电池的ITO膜金属电极之间通过ITO互连片依次串联；N个三结砷化镓太阳能电池组件之间通过ITO汇流条和导线相互并联之后，再通过铰链与卫星结构地连接。 | ||
| 搜索关键词： | 电位 网络 三结砷化镓 太阳能电池 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种等电位网络三结砷化镓太阳能电池阵结构，包括N个三结砷化镓太阳能电池组件，其中：N为大于2的自然数；其特征在于：每个三结砷化镓太阳能电池的效率大于28％；在每个三结砷化镓太阳能电池上粘贴有抗辐照玻璃盖片；所述抗辐照玻璃盖片的厚度范围是0.12mm～0.3mm；在每个抗辐照玻璃盖片上蒸镀有MgF2减反射膜，在所述MgF2减反射膜上蒸镀有ITO透明导电膜；所述ITO透明导电膜的厚度不大于15nm；在所述ITO透明导电膜上蒸镀有一对ITO膜金属电极；每对ITO膜金属电极之间的电阻值不大于10kΩ；每个三结砷化镓太阳能电池组件由M个三结砷化镓太阳能电池组成，其中，M为大于2的自然数；上述M个三结砷化镓太阳能电池的ITO膜金属电极之间通过ITO互连片依次串联；N个三结砷化镓太阳能电池组件之间通过ITO汇流条和导线相互并联之后，再通过铰链与卫星结构地连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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