[发明专利]一种石墨烯薄膜及其制备方法在审
申请号: | 201510080946.8 | 申请日: | 2015-02-13 |
公开(公告)号: | CN104692670A | 公开(公告)日: | 2015-06-10 |
发明(设计)人: | 凡明明 | 申请(专利权)人: | 北京欣奕华科技有限公司 |
主分类号: | C03C17/22 | 分类号: | C03C17/22;C01B31/04 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100176 北京市大兴区经济*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种石墨烯薄膜及其制备方法,该方法包括:对石墨进行氧化处理形成氧化石墨;将氧化石墨溶于有机溶剂中形成氧化石墨溶液;将氧化石墨溶液涂布在导电玻璃的导电面上形成氧化石墨烯薄膜;将形成有氧化石墨稀薄膜的导电玻璃置于电解质溶液中,在预设的还原电压下进行预设时长的电化学还原处理,形成石墨烯薄膜;这样,通过电化学还原氧化石墨烯薄膜的方法获得的石墨烯薄膜的厚度较薄,可以获得单层的石墨烯薄膜,并且,实际操作较为简单。 | ||
搜索关键词: | 一种 石墨 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种石墨烯薄膜的制备方法,其特征在于,包括:对石墨进行氧化处理形成氧化石墨;将所述氧化石墨溶于有机溶剂中,形成氧化石墨溶液;将所述氧化石墨溶液涂布在导电玻璃的导电面上,形成氧化石墨烯薄膜;将形成有所述氧化石墨稀薄膜的导电玻璃置于电解质溶液中,在预设的还原电压下进行预设时长的电化学还原处理,形成石墨烯薄膜。
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