[发明专利]纳米硅硼浆及其应用于制备太阳能电池的方法在审
申请号: | 201510073160.3 | 申请日: | 2015-02-11 |
公开(公告)号: | CN104617164A | 公开(公告)日: | 2015-05-13 |
发明(设计)人: | 蒋红彬;沈晓东;毛立中;刘国钧 | 申请(专利权)人: | 苏州金瑞晨科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人: | 刘宪池 |
地址: | 215000 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种纳米硅硼浆及其应用于制备N型复合发射极和改良P型太阳能电池的方法。本发明采用纳米硅硼浆为载体,通过激光或高温处理在太阳能电池背面银栅线覆盖区实现局部硼掺杂。当所述方法用于生产N型电池时,结合通常的铝浆烧结工艺制备N型复合发射极电池,解决了普通铝浆烧结工艺仅在铝浆覆盖区形成发射极在银栅线覆盖区发射极不连续的缺陷,从而提升N型铝发射极电池的光电转换效率。当所述方法用于生产P型电池时,结合通常的铝浆烧结工艺制备改良P型电池,解决了普通P型电池仅在铝浆覆盖区形成背场在银栅线覆盖区背场不连续的缺陷。 | ||
搜索关键词: | 纳米 硅硼浆 及其 应用于 制备 太阳能电池 方法 | ||
【主权项】:
一种纳米硅硼浆,其特征在于,按重量配比,含有10~50份纳米硅粉、20~100份溶剂、0~20份添加剂,纳米硅的粒径为10~200纳米;其中,所述纳米硅粉含有单质硼或硼化合物或二者混合物,其组成为50‑100份硅、0.05‑50份硼、0‑50份硼化合物;所述硼化合物含有硼化硅或三氧化二硼或二者混合物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的