[发明专利]用于低压差(LDO)稳压器中增强型瞬态响应的半导体结构有效

专利信息
申请号: 201510057249.0 申请日: 2015-02-04
公开(公告)号: CN104821721B 公开(公告)日: 2019-02-05
发明(设计)人: G·卢夫 申请(专利权)人: 英特赛尔美国有限公司
主分类号: H02M3/156 分类号: H02M3/156
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 李玲
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明公开用于低压差(LDO)稳压器中的增强型瞬态响应的系统、半导体结构、电子电路和方法。举例来说,本发明公开用于LDO稳压器中的增强型瞬态响应的半导体结构,所述半导体结构包括第一电流镜电路,其耦合到所述LDO稳压器的输入连接件和输出连接件;第二电流镜电路,其耦合到所述LDO稳压器的所述输入连接件。第一放大器电路的第一输入耦合到所述第二电流镜电路,所述第一放大器电路的第二输入耦合到所述LDO稳压器的所述输出连接件,且所述第一放大器电路的第三输入耦合到参考电压。第二放大器电路的输入耦合到所述第一放大器电路的输出,所述第二放大器电路的输出耦合到所述第一电流镜电路,第三放大器电路的输入耦合到所述第一放大器电路的所述输出,且所述第三放大器电路的输出耦合到所述第二电流镜电路。在一些实施方式中,所述半导体结构是形成于半导体IC、晶片、芯片或裸片上的电源管理集成电路(PMIC)中或电源中的自适应偏置LDO稳压器。
搜索关键词: 用于 低压 ldo 稳压器 增强 瞬态 响应 半导体 结构
【主权项】:
1.一种半导体结构,其包括:第一电流镜电路,所述第一电流镜电路耦合到所述半导体结构的输入连接件和输出连接件;第二电流镜电路,所述第二电流镜电路耦合到所述半导体结构的所述输入连接件;第一放大器电路,所述第一放大器电路的第一输入耦合到所述第二电流镜电路,所述第一放大器电路的第二输入耦合到所述半导体结构的所述输出连接件,且所述第一放大器电路的第三输入耦合到参考电压;第二放大器电路,所述第二放大器电路的输入耦合到所述第一放大器电路的输出,且所述第二放大器电路的输出耦合到所述第一电流镜电路;以及第三放大器电路,所述第三放大器电路的输入耦合到所述第一放大器电路的所述输出,且所述第三放大器电路的输出耦合到所述第二电流镜电路。
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