[发明专利]一种操控氧化锌纳米柱阵列的密度和光学带隙的方法有效
| 申请号： | 201510037532.7 | 申请日： | 2015-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN105883900B | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | 汤洋;赵颖;陈颉 | 申请（专利权）人： | 神华（北京）光伏科技研发有限公司 |
| 主分类号： | C01G9/02 | 分类号： | C01G9/02;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 李婉婉;金迪 |
| 地址： | 102209 北京市昌平区北七家*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种操控氧化锌纳米柱阵列的密度和光学带隙的方法，该方法包括：在水热合成条件下，将含有锌源、氧源以及铵盐和/或铟盐的溶液与生长基底进行接触，以在所述生长基底上生成氧化锌纳米柱阵列，其中，通过控制所述含有锌源、氧源以及铵盐和/或铟盐的溶液中的铵盐浓度和/或铟盐浓度来操控氧化锌纳米柱阵列的密度和光学带隙。本发明提供的方法能够很好地调控ZnO纳米柱阵列的密度和光学带隙。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 操控 氧化锌 纳米 阵列 密度 光学 方法 | ||
【主权项】：
1.一种操控氧化锌纳米柱阵列的密度和光学带隙的方法，该方法包括：在水热合成条件下，将含有锌源、氧源以及铵盐和铟盐的溶液与生长基底进行接触，以在所述生长基底上生成氧化锌纳米柱阵列，其中，通过控制所述含有锌源、氧源以及铵盐和铟盐的溶液中的铵盐浓度和铟盐浓度来操控氧化锌纳米柱阵列的密度和光学带隙；其中，在所述含有锌源、氧源以及铵盐和铟盐的溶液中，铵盐浓度为0.01‑0.05mol/L，和铟盐浓度为0.1‑10000 μmol/L；所述氧源为六次甲基四胺；所述控制包括通过以下操作中的一种或多种以使得降低ZnO纳米柱阵列的密度、增大ZnO纳米柱的间距和提高ZnO纳米柱阵列的生长速率：增加硝酸铟的浓度、增加硝酸铵的浓度以及在反应溶液中同时含有铵盐和铟盐。
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