[发明专利]偏振分束旋转器有效
| 申请号： | 201510031371.0 | 申请日： | 2015-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN105866885B | 公开（公告）日： | 2023-02-28 |
| 发明（设计）人： | 汪敬;甘甫烷;盛振;武爱民;仇超;王曦;邹世昌 | 申请（专利权）人： | 南通新微研究院;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G02B6/126 | 分类号： | G02B6/126 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 226017 江苏省南通市苏通*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种偏振分束旋转器，至少包括：形成在SOI材料的顶层硅中的波导，所述波导至少包括顺次连接的单模输入波导、双刻蚀波导和定向耦合波导；所述双刻蚀波导，包括一端与所述单模输入波导的尾端相连接的第一刻蚀区和位于所述第一刻蚀区两侧的第二刻蚀区，所述第一刻蚀区的高度大于所述第二刻蚀区的高度；所述定向耦合波导，包括相互分离的直通波导和弯曲波导，所述直通波导连接所述第一刻蚀区的尾端，所述弯曲波导位于所述直通波导一侧。本发明提供的偏振分束旋转器分别利用这两个结构的宽带和尺寸小的特点，可以解决传统偏振分束旋转器件不能同时满足宽带特性和尺寸小的缺点。 | ||
| 搜索关键词： | 偏振 旋转 | ||
【主权项】：
一种偏振分束旋转器，其特征在于，所述偏振分束旋转器至少包括：形成在SOI材料的顶层硅中的波导，所述波导至少包括顺次连接的单模输入波导、双刻蚀波导和定向耦合波导；所述双刻蚀波导，包括一端与所述单模输入波导的尾端相连接的第一刻蚀区和位于所述第一刻蚀区两侧的第二刻蚀区，所述第一刻蚀区的高度大于所述第二刻蚀区的高度；所述定向耦合波导，包括相互分离的直通波导和弯曲波导，所述直通波导连接所述第一刻蚀区的尾端，所述弯曲波导位于所述直通波导一侧。
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