[发明专利]光学带隙可调的氧化锌纳米柱阵列材料的制备方法及该方法得到的氧化锌纳米柱阵列材料有效
| 申请号： | 201510030422.8 | 申请日： | 2015-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN105858712B | 公开（公告）日： | 2019-09-06 |
| 发明（设计）人： | 汤洋;赵颖;陈颉 | 申请（专利权）人： | 神华（北京）光伏科技研发有限公司 |
| 主分类号： | C01G9/02 | 分类号： | C01G9/02;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 严政;李婉婉 |
| 地址： | 102209 北京市昌平区北七家*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种光学带隙可调的氧化锌纳米柱阵列材料的制备方法及该方法得到的氧化锌纳米柱阵列材料，该方法包括：在水热合成条件下，将含有锌源、氧源、铵盐和镓盐的溶液与生长基底进行接触，以在所述生长基底上生成氧化锌纳米柱阵列。本发明提供的方法能够很好地调控ZnO纳米柱阵列的光学带隙。 | ||
| 搜索关键词： | 光学 可调 氧化锌 纳米 阵列 材料 制备 方法 得到 | ||
【主权项】：
1.一种光学带隙可调的氧化锌纳米柱阵列材料的制备方法，该方法包括：在水热合成条件下，将含有锌源、氧源、铵盐和镓盐的溶液与生长基底进行接触，以在所述生长基底上生成氧化锌纳米柱阵列，其中，所述镓盐与所述锌源的摩尔比为1：20‑10000，所述水热合成的温度为70‑120℃；所述氧源为六次甲基四胺；所述生长基底为掺铝氧化锌，所述生长基底表面不覆盖氧化锌薄膜或掺杂的氧化锌薄膜，所述氧化锌纳米柱阵列的光学带隙的变化范围为3.37‑3.57eV。
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