[发明专利]利用宏粒子减少涂层的等离子体源和将等离子体源用于沉积薄膜涂层和表面改性的方法有效

专利信息
申请号: 201480084542.X 申请日: 2014-12-05
公开(公告)号: CN107615888B 公开(公告)日: 2022-01-04
发明(设计)人: J·钱伯斯;P·马诗威茨;Y·林;H·约翰逊 申请(专利权)人: 北美AGC平板玻璃公司;AGC玻璃欧洲公司;AGC株式会社
主分类号: H05H1/24 分类号: H05H1/24
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 陈松涛;王英
地址: 美国乔*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明通常涉及利用宏粒子减少涂层的等离子体源和使用利用宏粒子减少涂层的等离子体源用于薄膜涂层的沉积和表面的改性的方法。更特别地,本发明涉及包括一个或多个等离子体产生电极的等离子体源,其中宏粒子减少涂层沉积在一个或多个电极的等离子体产生表面的至少一部分上以遮蔽电极的等离子体产生表面免于由所产生的等离子体腐蚀并抵抗粒子物质的形成,因而增强性能并延长等离子体源的使用寿命。
搜索关键词: 利用 粒子 减少 涂层 等离子体 用于 沉积 薄膜 表面 改性 方法
【主权项】:
一种等离子体源,包括:由含气空间分隔开的第一电极和第二电极,其中,涂层沉积在所述第一电极和所述第二电极中的每个的至少一部分上;所述第一电极和所述第二电极电连接到的电源,所述电源被配置为供应在正和负之间交替的电压以使供应到所述第一电极的电压与供应到所述第二电极的电压异相,并产生在所述电极之间流动的电流;其中,所述电流在所述电极之间产生等离子体,所述等离子体在其长度上实质上是均匀的;其中,所述第一电极和所述第二电极由所述涂层遮蔽以免于与所述等离子体接触;并且其中,所述涂层抵抗形成颗粒物质。
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